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阻抗栅极器件飞兆半导体FDB2614和FDB2710为等离子体显示板提供高效率

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(PDP)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench工艺技术,这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on)(FDB2614的典型值为22.9毫欧;FDB2710的典型值为36.3毫欧)。超低的RDS(on)加上极低的栅极电荷(Qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(FOM),因而在PDP系统中能获得更低的传导损耗和良好的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200V或250V的击穿电压,可以封装在占位面积更小的D2PAK封装中。PowerTrenchMOSFET的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应,有助于提高系统的可*性。

  FDB2614和FDB2710的主要功能和优势包括:

  最低导通阻抗RDS(on)及低栅极电荷,具备同级产品最佳的FOM(RDS(on)xQg),能够提高系统效率;

  D2PAK(TO-263)封装,与具有类似RDS(on)的更大型TO-3P封装平面MOSFET比较,能够节省板卡空间;

  高dv/dt和di/dt处理能力,增强系统可*性。

  FDB2614和FDB2710均为无铅器件,能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符现已生效的欧盟标准。

  供货:现提供样品

  交货期:收到订单后12周内

来源:中国半导体行业协会

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